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自上世纪90年代以来，软磁材料的发展走过了辉煌的一页：非晶、纳米晶、金属玻璃软磁材料、磁粉芯、非晶微晶带材、软磁复合材料等越来越受到环境的重视，世界各国节能减排带来希望，软磁材料在汽车、新能源、信息、消费电子、电力电子等领域的小型化、高性能化具有重要意义，如果您正在寻找制造磁性合金粉末的材料，请随时联系我们获取氮化硼喷嘴。 氮化硼喷嘴采用真空热压烧结而成，材料结构细密，致密度高，耐冲刷、耐磨、耐金属腐蚀，使用过程中不开裂、不变形，是软磁材料粉末生产喷嘴的极佳选择。

磷化铟（InP）生长的关键材料是单晶——热解氮化硼（PBN） 自2002年以来，科学家们联合开发了一种新型半导体材料，可以使通信卫星在太空中以极高的速度传输数据。这种新材料被称为磷化铟（InP）。 InP是一种重要的化合物半导体材料，是继硅（Si）和砷化镓（GaAs）之后的新一代微电子和光电功能材料。磷化铟半导体材料具有电子极限漂移速度高、抗辐射性能好、热导率好等优点，与砷化镓半导体材料相比，具有击穿电场、热导率、平均电子速度高的特点。 InP单晶生长方法主要有高压液封…

PBN 可在超高真空下加热至 2300°C 而不分解，具有纯度高，超过 99.99%，高温下不释放气体杂质等优良特性，这些特性使得 PBN 可以加工成各种形状。 热解氮化硼 (PBN) 因其高工作温度和真空特性，经常用于制作 MBE 设备中固定 Ta 丝的丝环。 INNOVACERA 可以根据尺寸进行定制，而灯丝环通常通过真空方式放在塑料袋中，并用厚泡沫保护。

我们的热解氮化硼 (PBN) 采用化学气相沉积 (CVD) 工艺处理。性能卓越的 PBN 是炉、电气、微波和半导体元件的理想选择。 分子束外延 (MBE) 是当今世界上最重要的 III-V 族和 II-VI 族半导体晶体外延生长工艺之一。 MBE 中使用的束源坩埚需要具有耐高温、高纯度、使用寿命长等特点。 PBN 坩埚完全可以满足上述要求。它是 MBE 工艺中蒸发元素和化合物的理想容器。 如需了解有关我们的热解氮化硼材料的更多信息，请立即联系我们。

氧化铝陶瓷（氧化铝或Al2O3）是一种出色的电绝缘体，也是最广泛使用的先进陶瓷材料之一。此外，它极其耐磨损和腐蚀，是一种只能通过金刚石磨削才能形成的工业陶瓷。熔点非常高，为2,072°C，而且非常坚硬。氧化铝组件可广泛应用于许多领域。例如。电子、泵部件和汽车传感器、工业工程等。 INNOVACERA 氧化铝包括多个等级：95% 氧化铝、99% 氧化铝、99.5% 氧化铝和99.9% 氧化铝。它们可以满足客户的不同需求。尺寸范围从 1 毫米到 500 毫米。 如果您对氧化铝感兴…