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Aluminum Nitride Substrate

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Aluminum Nitride Wafer Substrates

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TO 247 Ceramic Insulating Sheet

 TO-247 Ceramic Insulating Sheets by Innovacera have been developed to offer better thermal management in discrete semiconductor technologies like MOSFETs, IGBTs, and Power Transistors. As a si...

新型无机材料——氮化铝（AlN）陶瓷

氮化铝陶瓷的主晶相为氮化铝粉末，其具有以下特性： 1.什么是氮化铝？ 氮化铝 (AIN) 是一种具有六方纤锌矿结构的耐火化合物 颜色为灰色 氮化铝晶体是基于[AIN4]四面体结构，具有纤锌矿结构的共价键化合物 密度为 3.26 g/cm3 晶格常数 a = 3.11，c = 4.980 常压下分解温度为 2480℃ 氮化铝陶瓷材料的优点： 室温强度高，且随温度升高而缓慢下降 导热系数高 介电常数和...

陶瓷基板和封装所需的性能

陶瓷基板及封装用于高速化、高集成化的半导体封装、电子模块以及高精度、高灵敏度化的传感器模块。 这些应用所需的性能如下： · 尺寸稳定性和平整性 · 支持各种安装形式（引线接合、倒装芯片接合、SMT 等） · 线性膨胀系数接近硅 · 尺寸小，布线精细 · 频率特性 · 高可靠性，包括耐热性和耐湿性 INNOVACERA 提供以下陶瓷基板材料： 1) 96% Al2O3 陶瓷基板 2) 99.6% A...

HTCC（高温共烧陶瓷）简介

什么是HTCC HTCC（High Temperature Co-fired Ceramic）采用钨、钼、钼、锰等高熔点金属耐热浆料印刷在92~96%氧化铝流陶瓷生坯上，根据热电路设计要求，加入4~8%烧结剂再叠层多层。在1500~1600°C高温下烧成一体。 因此具有耐腐蚀、耐高温、寿命长、高效节能、温度均匀、导热性好、热补偿快等优点，且不含铅、镉、汞、六价铬、多溴联苯、多溴二苯醚等有害物质，符...

氮化铝晶圆基板：半导体制造的基础

氮化铝晶圆基板是半导体行业中的关键组件，以其出色的热性能和电性能而闻名。氮化铝 (AIN) 材料因其与硅的兼容性而备受瞩目，使其成为各种晶圆相关应用的理想选择。   氮化铝晶圆基板的重要性 氮化铝晶圆基板在半导体行业中发挥着重要作用。它们受欢迎的一个关键原因是它们的热特性与硅非常相似。这种相似性使 AIN 基板成为热管理至关重要的半导体应用的绝佳选择。这些基板的领先供应商 Innovac...
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